MOSFET의 열 설계
작성자: yu123456789 님실행 횟수: 73
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MOSFET 등의 열 설계에 사용할 수 있습니다.
Tc=패키지 온도
Rthjc=접합-패키지 간 열저항
Pd=손실 또는 허용 손실
Tj=접합 온도
si-mosfet≦150℃ 온도가 150℃ 미만이라도 상황에 따라 신뢰성이 현저히 저하될 가능성이 있습니다.
Rthjc=접합-패키지 간 열저항
Pd=손실 또는 허용 손실
Tj=접합 온도
si-mosfet≦150℃ 온도가 150℃ 미만이라도 상황에 따라 신뢰성이 현저히 저하될 가능성이 있습니다.
| Tj | ℃ |
Tj=Tc+(Rthjc*Pd)
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