MOSFET的热设计
作者: yu123456789执行次数: 73
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可用于MOSFET等的热设计。
Tc=封装温度
Rthjc=结-封装间热阻
Pd=功耗或允许功耗
Tj=结温
si-mosfet≦150℃ 即使温度低于150℃，根据具体情况，可靠性也可能显著降低。
Rthjc=结-封装间热阻
Pd=功耗或允许功耗
Tj=结温
si-mosfet≦150℃ 即使温度低于150℃，根据具体情况，可靠性也可能显著降低。
| Tj | ℃ |
Tj=Tc+(Rthjc*Pd)
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