MOSFET 的熱設計
作者: yu123456789執行次數: 73
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可用於 MOSFET 等元件的熱設計。
Tc=封裝溫度
Rthjc=結-封裝間熱阻
Pd=功耗或允許功耗
Tj=結溫
si-mosfet≦150℃ 即使溫度低於150℃，視情況而定，可靠性仍可能顯著下降。
Rthjc=結-封裝間熱阻
Pd=功耗或允許功耗
Tj=結溫
si-mosfet≦150℃ 即使溫度低於150℃，視情況而定，可靠性仍可能顯著下降。
| Tj | ℃ |
Tj=Tc+(Rthjc*Pd)
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